京都大學、東京理科大學等的研究小組已經闡明了在單層過渡金屬二硫屬化物中丟失被稱為“谷”的電子波狀態信息的機制，這些材料有望成為未來光電器件的材料。
當將圓偏振光施加到單層過渡金屬 dalcogenide 時，可以產生兩種類型的順時針或逆時針旋轉的激子。將這種像能量谷一樣的激子谷與數字信息處理的2和0相對應的概念稱為“光電子學”，近年來被稱為高速節能的光電器件可以實現，引起了全世界的關注。
要實現光谷電子，需要將谷的狀態保持足夠長的時間，但實際上在很短的時間內就丟失了，而且機理不明，這是一個有待解決的大問題。場地。
本研究以典型的過渡金屬二硫化物鎢二硒化物為模型，在低溫條件下，谷態的保留時間隨著溫度的升高而變短，而這些性質主要是激子的重心。我們已經確定了一種取決於摻雜電子的動量和密度的機制。然後，基於對這一機制的理解，當創建一個結構，其中激子的動量和摻雜電子的密度被控制在延長谷狀態的保留時間的方向上時，可以如預期的那樣增強它...
這一結果闡明了激子一旦產生的谷態消失的機理，也為一定程度上控制谷態提供了材料工程指導，有望實現。
