由東京工業大學計畫副教授Masao Shimizu、東京工業大學Hiroshi Funakubo教授和東北大學Toyohiko Konno教授領導的研究小組成功生產出品質穩定的超薄鐵電薄膜。鐵電體目前作為高性能新型記憶體的材料而受到關注，該材料可以取代智慧型手機和其他設備中使用的記憶體。
為了實現這一目標，必須製造超薄膜，但隨著薄膜變得更薄，它們往往會惡化。記憶體透過在施加電壓時改變狀態的材料來保留訊息，並且即使在關閉電壓時也保持該狀態。鐵電體透過在施加電壓時偏壓材料內的離子分佈來實現這一點。據稱，與傳統記憶體相比，它能夠實現更高的效能和更低的功耗。然而，仍有一些問題有待解決，特別是生產品質穩定的薄膜狀晶體至關重要。
我們關注的材料是氧化鉿，一種鐵電材料，具有反尺寸效應的特性，尺寸越小，性能越好。另一方面，生產穩定晶體的難度一直是瓶頸。研究團隊首先重新檢查了晶體中所含元素的成分。此外，透過設計晶體生長基底的結構，他們成功地生產出了厚度為15奈米（百萬分之十五毫米）的品質穩定的晶體。
據稱，這種鐵電薄膜可用於製造比傳統記憶體容量更大、功耗更低、速度更快的記憶體。如果它在智慧型手機、筆記型電腦等中實現，我們將能夠直接從中受益。此外，反向尺寸效應背後的機制尚不清楚，這次製造的晶體可能為闡明它提供線索。如果能夠闡明這一點，新物質的開發可能會進一步加速。
