在物聯網、大數據、雲時代，大容量存儲的需求有望增加，但有人指出，記錄密度的極限很快就會達到。
廣島大學理科研究生院的研究小組在世界上首次成功開發出一種在室溫下表現出鐵電（記憶效應）的分子。鐵電性一般不會在單個分子中表現出來，但世界上第一個證明即使在單個分子中也表現出鐵電性的“單分子衍生物”（Single Molecule Electret，SME）將做到。通過將本研究中開發的“SME”用作存儲器，與目前用於 HDD 等的鐵磁存儲器的記錄密度相比，可以將記錄密度提高 1000 倍或更多，因此將訪問在不久的將來，可以說這是一個可以突破記錄密度極限的重要發現。
鐵電物質是指即使沒有電場（自發電極）也極化方向一致並且極化方向被電場反轉的物質。通過使這種自發極化的方向對應於0和1，它可以用作信息記錄材料。
在這項研究中，一種顛覆鐵電體理論的新機制，使原本被認為不具有鐵電性的單個分子中表現出鐵電體特有的自發極化和極化滯後（記憶效應），我成功地做到了。該分子是一種籠狀無機分子“普萊斯勒型多金屬氧酸鹽”，含有铽離子，其表達機理不同於基於常規鐵電理論的一般鐵電體。換言之，它是不受基於傳統理論計算的記錄密度物理限制的新物質群，有可能在未來顯著改變信息社會。
