千葉大學的青木伸之副教授宣布，他在世界上首次發現了一種現象，即通過使用掃描電子顯微鏡（SEM）用電子束照射原子層材料二硫化鉬（MoS2），帶隙（決定半導體特性的最重要值之一）就會增加。 與紐約州立大學布法羅分校JP Bird教授和萊斯大學R. Vajtai教授聯合研究。
當前的矽大規模集成電路（LSI）通過使晶體管變得更小、提高集成度來提高性能。然而，這種方法已接近其極限，由石墨烯和二硫化鉬等原子層材料的單原子層製成的晶體管取代了矽而引起了人們的關注。另一方面，帶隙的值是決定半導體性能的重要特徵，在傳統材料中每種物質的帶隙值都是固定的，無法改變。
這次，研究小組發現，由單層MoS1單晶製成的晶體管中存在具有不同特性的部件。當我們使用多個掃描探針顯微鏡進行分析時，我們發現具有不同屬性的區域的帶隙變寬，並且不同屬性之間的邊界影響晶體管的工作方式。進一步驗證發現，造成這種變化的原因是材料製造過程中使用的電子束光刻所使用的電子束照射。結果發現，通過使用SEM等簡單裝置照射電子束，可以容易地控制原子層材料的帶隙。
未來，結合帶隙控制，預計僅原子層材料就能夠實現各種電子產品，例如LED和激光器以及計算機和存儲器。
