支持當今先進信息社會的電子設備。近年來，被稱為軟錯誤的現像作為這些電子設備的故障原因之一而受到關注。
軟錯誤是電子設備暴露於輻射（宇宙射線）時發生的暫時故障或故障。宇宙射線是不斷落在地球上的自然輻射，其主要成分是不可見的中子和μ介子。隨著半導體器件的小型化和低功耗化，其耐輻射能力不斷下降，宇宙線μ子和宇宙線中子可能會引起軟錯誤，這一點長期以來一直受到人們的關注並正在採取對策。說性別開始被指出了。
μ子有正μ子和負μ子之分，目前雖然有正μ子輻照實驗的報導，但負μ子輻照實驗尚未見報導，迫切需要實驗驗證。
此次，由九州大學、大阪大學、材料結構科學研究所、高能加速器研究機構、J-PARC中心等組成的聯合研究小組在J-PARC材料與生命科學中心使用了μ介子實驗裝置MUSE實驗設施：進行了用世界上最高強度的正負介子束照射半導體器件的實驗。結果，由於負μ子被原子核捕獲並產生二次離子，因此發現記憶信息發生位反轉的概率比正μ子高出約四倍。實驗證明μ子有很大的影響。
未來，研究團隊將進一步闡明宇宙射線μ介子引起軟錯誤的機理，並將其應用於下一代半導體器件的設計等，打造自動駕駛、汽車等領域安全放心的半導體技術。物聯網。目標是為
論文信息：[IEEE Transaction on Nuclear Science] 65-nm UTBB SOI SRAM 中負和正 Muon 誘發的單粒子擾動
