東京大學、工業技術研究所、Picrystal Co., Ltd. 等合作研究小組通過簡單的印刷方法，生產出了可用作高性能晶體管的三層分子厚度的有機半導體晶片。
從輕量、柔性、印刷相容性等觀點出發，有機半導體被期待為通過替代現有的矽半導體而能夠以低成本大量生產的下一代電子材料。然而，許多有機半導體很少同時具備低溫印刷性能和優異的半導體特性，世界上實用電子器件的研發一直沒有取得進展。建立具有優異均勻性和再現性的工藝技術以實現高有機晶體管性能也很重要。
此前，課題組已成功製備出厚度約為兩層分子的超薄有機半導體單晶薄膜。在打印超薄單晶薄膜時，單晶薄膜僅在通過獨特方法噴射有機半導體墨水的噴嘴的掃描位置生長。原則上，據說可以通過擴大噴嘴寬度來減少每單位面積的打印時間。
此次將噴嘴寬度擴大至4厘米，是常規寬度的9倍以上，並改善周邊器件和印刷條件，製作出厚度約3英寸的有機半導體超薄單晶薄膜。 12層（4納米）分子，證明可以生產出等級晶圓。經發現，用這塊單片製作的1個晶體管無缺陷運行，平均電荷遷移率為1,600 cm10/Vs，是目前有機晶體管中最高的。
此次的印刷方式與以往的有機半導體印刷相比，材料消耗少得多，認為可以縮短工藝時間，增加印刷面積，預計在未來的工業應用中成本將大幅降低。有。
