據東京大學稱，通過用超短太赫茲脈衝光照射嵌入在半導體中的鐵磁納米粒子，我們成功地獲得了大約 20% 的飽和磁化強度（磁化強度的最大值）的巨大磁化調製。 .
由於超短太赫茲脈衝光的脈衝寬度短至皮秒（1/1萬億秒），當照射鐵磁體時，磁化響應脈衝波形幾乎沒有磁摩擦的影響。高速調製。通過應用這一點，預計可以在皮秒級以非常高的速度反轉磁化，並且可以實現比當前速度快約 1000 倍的存儲設備。磁化調製小於飽和磁化的約 1%。
在之前的研究中，研究小組透露，使用一種特殊的基於半導體的鐵磁材料，不僅光的磁場分量，而且電場分量都可以極大地促進磁化調製。從這裡開始，我們決定使用將鐵磁納米粒子嵌入半導體中的樣品，當我們觀察用超短太赫茲脈衝光照射樣品時的磁化強度變化時，磁化調製量為 20%此外，據說還實現了比傳統研究高 20 倍的大磁化調製。
當今高度信息化社會中的存儲設備由半導體組成，但大多數是易失性的，因此斷電時數據會丟失。另一方面，由於鐵磁體的磁化是非易失性的，因此通過使用磁化方向存儲信息，可以實現即使關閉電源也不會擦除數據的存儲裝置。
預計這一結果將導致實現在皮秒內利用磁化反轉的超快非易失性存儲器。
