東北大學理化研究所、立教大學等聯合研究組完成了用於觀察不穩定原子核的新型電子散射實驗裝置（新型電子顯微鏡），並從中取出少量氙（Xe）同位素分離器 -132（質子數 54，中子數 78） 我們對原子核進行了電子散射實驗，並成功確定了質子分佈。
為了看到小原子（大小為萬億分之一毫米），使用了一種稱為“高能電子散射”的方法，其中高能電子束與原子核碰撞並研究散射電子。過去，製作元素薄膜並用電子束照射，但原子核的數量需要至少為 1 次方的 1 次方。電子散射實驗用穩定的原子核很容易，但完全不可能，因為它不能用人工製造的不穩定原子核大量生產。
因此，這一次，我們在世界上率先開發了一種稱為 SCRIT 方法的新方法。它是一種在細電子束路徑中捕獲和集中目標離子的方法，它會自動引起電子散射現象。通過將這種機制整合到一個稱為“電子存儲環”的加速器中，電子散射實驗可以只用 1 億個目標核進行。
配備此 SCRIT 裝置的不穩定核電子散射實驗設備在 RIKEN Nishina 加速器研究中心用了大約 6 年時間完成。使用該設備，從同位素分離器 ERIS 取出的約 1 億個 Xe 原子核注入 SCRIT 裝置，觀察原子核散射的電子，並從散射角分佈成功確定原子核的質子分佈。 雖然 Xe 是一個穩定的原子核，但由於它是用與不穩定同位素實驗完全相同的規格進行測試的，因此可以通過 ERIS 啟動全面的不穩定成核來測量不穩定的核質子分佈。
未來，不穩定原子核的質子分佈測量將取得進展，預計該設施將成為構建全面了解核結構的新核模型的基礎。
論文信息：[Physical Review Letters] SCRIT 設施中 132Xe 的首次彈性電子散射
