筑波大學等聯合開發研究團隊開發了世界上第一個能夠進行 1 微米（1000/1 毫米）以下的超高精度位置測量的輻射測量傳感器。該傳感器採用稱為“SOI（絕緣體上矽）”的半導體技術，與傳統的矽半導體傳感器相比，該技術能夠以一個數量級的精度進行位置測量。
在使用加速器的基本粒子實驗中，準確觀察“基本粒子反應發生的位置”很重要。下一代探測器“SOI像素傳感器”的開發和研究始於2005年，目的是顯著提高傳統輻射探測器幾微米的位置測量精度。使用開發的傳感器對輻射探測器的性能評估結果在國際會議上公佈。
研究小組開發的“SOI像素傳感器”是一種通過將具有SOI結構（在絕緣膜上形成集成電路的結構）的傳感器以網格圖案排列來測量基本粒子通過的位置的設備。 通過優化用於像素型輻射檢測的SOI襯底下矽層的厚度，並將其與信號處理集成電路集成，我們實現了具有高輻射檢測效率的超精細像素傳感器。
已經證實，這種有望在未來的基本粒子和核實驗中發揮積極作用的傳感器的性能即使在高輻射劑量下也不會惡化。由於它還可以用作高性能X射線圖像探測器，因此有望廣泛應用於醫療和工業領域以及X射線天文學等基礎科學和使用同步輻射的材料生命科學實驗設備。 .
