TMC效應是在兩個磁性層(磁性層)之間夾有薄絕緣層的接合部中磁性層的磁化(作為磁鐵的特性方向)平行時的電容(電容量)。一種現象，即累積的電量）在反平行時變得“大”和“小”。這一次，課題組挑戰了將鐵和氧化鐵結合起來開發一種前所未有的結結構，而出現相反的現象，即當磁性層的磁化平行時，電容“小”，而當它是反平行，成功地表現出“增長”現象。

　此外，該機制已通過結合量子力學的電荷存儲理論闡明，並且根據理論計算，這次在使用氮化鐵和鈷鐵硼合金的結構中獲得了電容變化率（iTMC比）。據說比鐵的價值大 10 倍左右。

　如果以本研究成果為起點，廣泛拓展iTMC效應的研究，隨著iTMC比的提高，將開闢高靈敏度、低功耗的磁傳感器和存儲器的誕生之路.未來有望應用於磁卡閱讀器和GPS等位置檢測傳感器元件，以及安裝在個人電腦和智能手機上的非易失性存儲器。

論文信息：【科學報告】：Fe / Al-oxide / Fe3O4中的逆隧道磁電容